當然，并不是所有的IGBT模塊都能用在上述領域。IGBT模塊一般分為低壓、中壓和高壓，低壓一般用于汽車零部件、消費電子；中壓一般用于汽車、工業控制、家用電器；高壓則用于軌道交通、光伏發電和智能電網等領域。時代電氣IGBT產品電壓范圍覆蓋750V-6500V，為國內電壓覆蓋范圍最廣的本土廠家，從低壓的汽車，到中壓的工業控制，再到高壓的軌道交通都能夠支持。除了原有的優勢領域軌道交通外，時代電氣正在主攻的汽車和光伏方向，正是目前IGBT增速的兩個領域。比如它已和廣汽、造車新勢力等A級車以上合作，光伏、風電方面與陽光能源、金風科技等深度合作。其他上市公司中，斯達半導工控較強，在汽車、光伏和家電領域有布局，并且在向3300V高壓IGBT發力；比亞迪電子汽車最強，在工控、家電、消費電子有布局；士蘭微則布局了工控、汽車、光伏領域。從各家布局情況看，汽車、工控和光伏三個賽道最為“擁擠”

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　　發展關鍵點2:封裝工藝。由于功率半導體工作環境極端，對可靠性和壽命等要求較高，因此封裝工藝同樣是功率半導體的主要關注點。封裝工藝主要從三種途徑進行改進：①提高芯片面積與占用面積之比；②將封裝的電阻和熱阻減至最??；③將寄生電阻和電感減至最小。

　　以TOLL封裝為例，它是一種高效節省空間的封裝，具有極低的寄生電阻和強大的熱性能，非常適合于高電流和高壓應用。根據EEWORLD，TOLL 封裝引線設計中潤濕性側翼，在汽車領域競爭力明顯，是汽車應用中的常用技術。

　　車規級IGBT模塊封裝技術壁壘更高，封裝質量及散熱重要性突出。車規級IGBT 模塊是功率半導體封裝技術壁壘的產品之一。車規級封裝是保障高溫運行、高功率密度、高可靠性的關鍵因素，不僅僅涉及到芯片表面互連、貼片互連、端子引出、散熱等關鍵技術工藝。

　　發展關鍵點3:材料迭代。功率半導體還專注于材料的迭代，現有第三代半導體材料可有效提升原有硅基材料的性能，突破原有器件性能天花板。以SiC、GaN 等第三代半導體材料為基礎的功率半導體可在更高頻、更高壓的環境下工作，性能上超過原有Si基IGBT 和Si基MOSFET，且原有的成本問題也不斷得到了優化。