IGBT 的開關特性可以實現直流電和交流電之間的轉化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，其應用領域極其廣泛?？吹竭@里，你大概已經能夠理解，最近時代電氣/新潔能/斯達半導/宏微科技等IGBT概念股獨秀一枝的原因。沒錯，去年至今被追捧的大熱陽光電源/錦浪科技就是做逆變器的。

　　功率半導體根據材料種類來劃分，主要分為三類：以Si、Ge為代表的代半導體，以GaAs、InP為代表的第二代半導體以及以SiC、GaN為代表的第三代半導體。第三代半導體材料禁帶更寬，具備更好的高頻性能和高溫性能。以SiC和GaN為主要形式的分立器件以及功率模組，相比于Si基IGBT和Si基MOSFET可以適用于更加高電壓、高電流的環境，并可以有效縮小所需芯片面積，減少變頻器三分之二的熱損耗。

　　SiC與GaN由于其性能的優越性，可以適用于更廣泛的范圍。SiC與GaN在5G、電動汽車、光伏等各個領域均表現出更加優異的性能。其中，特斯拉已經將電動汽車model3中的IGBT器件替換為多個SiC MOSFET模塊，取得了更優的性能。

　　根據Omdia的數據，2019年功率半導體全球市場規模為463億美元。功率IC市場規模為244 億美元，占52.7%，功率器件市場規模為210 億美元，占47.3%。功率器件中的晶體管市場規模為144.4 億美元，占功率器件市場的68.76%。

　　晶體管市場主要由MOSFET 和IGBT 組成，其中MOSFET 市場占56.09%，約81 億美元，IGBT 市場占43.91%，約63.4 億美元。其主要廠商包括英飛凌、意法半導體、德州儀器、安森美、三菱等，其中功率半導體龍頭廠商為英飛凌。

　　看下游應用，功率半導體下游需求主要以車載方向和電機驅動等為主。根據Yole 的2019 年統計數據，功率半導體主要下游驅動應用方向分別為車載方向(包括EV、HEV，硅MOSFET)、電機驅動(Motor Drive，IGBT 模組)、智能手機以及無線設備(硅MOSFET)、計算機技術以及存儲(硅MOSFET)、工業方向(硅MOSFET)和EV、HEV 方向(IGBT 模組)等。

　　據悉，與Hanatec收購有關，SemiFive公司通過近期推動的系列B投資募集，預計將籌集到了充足的資金。該公司繼去年吸引規模為431億韓元（約2.3億人民幣）的系列A投資后，最近正在進行1400億韓元（約7.6億人民幣）規模的系列B投資募集。業內相關人士表示：“TSMC的主要芯片設計企業GUC擁有約500名員工，銷售額達到5000億韓元左右，相比之下，韓國國內企業銷售額較少，人力也只有100-200人的水平“，并稱“SemiFive為了具備更大的規模和實力，因而積極推進收購合并?！眻D片只是，有業內人士指出，與Semi Five在外形上實現的超高速增長相比，其技術競爭力卻無法達到同等水平。并認為，在尚未正式實現銷售額的情況下，Semi Five企業價值之所以被高估，可能是由于對RISC-V等主力業務的預期心理所致。有個例子可以說明，就是是否接到三星電子Foundry所下發委托課題訂單。三星電子最近針對DSP合作公司下達了利用5nm最工藝的兩項委托課題。項是面向北美大型客戶的汽車用半導體，第二項是進入智能手機的通信調制解調器芯片。據悉，Semi Five應征了上述兩項委托課題，但汽車用半導體委托課題被三星電子的DSP公司—CoAsia所擊敗，因而獲取訂單失敗，而通信用調制解調器芯片委托課題也被成立僅4年的新生設計企業WetheMAX所擊敗。Fabless業界相關人士表示：“與市場預期相比，Semi Five在承接大型業務方面在韓國國內大企業H公司之后就沒有了。與在市場上追求并購的“規模經濟”不同，與其他DSP公司相比技術競爭力如何還是個問號?！比蝻@示驅動芯片市場供需與預測分析報告大綱

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