這兩個回路會產生電磁干擾，所以這些交流回路必須在電源中布線其他印刷線之前鋪設。每個環路的三個主要元件，即濾波電容、功率開關或整流器、電感或變壓器，應彼此相鄰放置，并調整元件的位置，使它們之間的電流路徑盡可能短。建立開關電源布局的方法與其電氣設計相似，設計流程如下:1。放置變壓器；2.設計電源開關電流回路；3.設計輸出整流器電流回路；4.設計連接到交流電源電路的控制電路；設計輸入電流源環路和輸入濾波器；根據電路的功能單元，電路的所有元件要按照以下原則進行布局:(1)首先考慮PCB的尺寸。
35.進行整改和分段處理的經驗，如下圖所示，只是一種處理方法。在某些情況下，36歲的經歷。輻射矯正和分段治療不能直接應用。下圖適合一些新手工程師，提供了參考方向。在某些情況下，并不直接應用，但有必要了解EMI產生的機理。37.關于PCB遇到的問題，如圖，為什么99SE畫板覆銅時不能填充這個位置？仿佛有死銅，D1，一個元件，有一個用文字描述的性質，放在最上面的銅箔上，如圖，放在最上面的絲印上后就解決了。38.變壓器的銅箔屏蔽主要針對傳導，導線屏蔽主要針對輻射。當導電性非常好時， 你的輻射可能很差。這時候把變壓器的銅箔屏蔽換成導線屏蔽，盡量把跌落位置降低30M，這樣輻射整流會快很多。EMI整流技巧之一39。測試輻射的時候，多帶幾個不同牌子的MOS和肖特基。
有時候只差2、3dB就換個不同的牌子會很驚喜。第二個EMI整流技巧是40上的整流二極管。VCC，這對輻射也有很大影響。一個慘痛的案例，一個過了EMI的產品，盈余4dB以上，已經量產很多次了。有一次量產EMI抽檢發現輻射超過1dB，不良品率50%。經過一層一層的調查，把部件一個一個的調換了。最后發現問題是由VCC上的整流二極管引起的。更換了之前的電子管(樣本保持低)，剩余為4dB。通過分析不良管道，發現管道內部供應商做了鏡像處理。
比如反激原邊高壓MOS的D和S之間的距離，根據公式是0.85mm，500V V以下d S電壓是0.9mm，考慮到污染和濕度，一般是1.2 mm，如果TO220封裝的MOS的D管腳用磁珠連接，就要考慮增加T管腳的安全距離。我之前也遇到過炸機的現象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易得渣。55.送土壤法驗證VCC，將產品放在低溫環境(冰箱)幾分鐘，測試VCC波形電壓是否觸發芯片欠壓保護點。小公司的設備沒有那么齊全。如果你感興趣， 你可以比較一下，看看VCC有多大的不同。在VCC彎道的設計中有許多因素需要考慮。56.變壓器底部PCB加通風孔有利于散熱，小板也是。應考慮風路。
