品牌 | IXYS/艾賽斯 | 型號 | MCD56-12io1B |
半導體材料 | 其他 | 管腳引出方式 | 其他 |
內部結構 | 其他 | 封裝方式 | 其他 |
正向電壓降 | 1200V | 最大反向工作電壓 | /V |
擊穿電壓 | /V | 額定整流電流 | 56A |
最大反向漏電流 | /A | 外形尺寸 | / |
功耗 | / | 產地 | 德國 |
廠家 | IXYS艾賽斯 |
二極管的幾種分類
整流二極管
就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA)作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結型,因此結電容較大,一般為3kHZ以下。反向電壓從25伏至3000伏分A~X共22檔。分類如下:①硅半導體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
開關二極管
二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導通狀態,相當于一只接通的開關;在反向電壓作用下,電阻很大,處于截止狀態,如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性,可以組成各種邏輯電路。
有在小電流下(10mA程度)使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管,也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短,因而是理想的開關二極管。2AK型點接觸為中速開關電路用;2CK型平面接觸為高速開關電路用;用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路;肖特基(SBD)硅大電流開關,正向壓降小,速度快、效率高。
變容二極管
用于自動頻率控制(AFC)和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, ;使其PN結的靜電容量發生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環路,常用于電視機的頻道轉換和調諧電路,多以硅材料制作。
穩壓二極管
這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的,在電路中其兩端的電壓保持基本不變,起到穩定電壓的作用。是代替穩壓電子二極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V,按每隔10%,能劃分成許多等級。在功率方面,也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態,硅材料制作,動態電阻RZ很小,一般為2CW、2CW56等;將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則為2DW型。
穩壓二極管的溫度系數α:α表示溫度每變化1℃穩壓值的變化量。穩定電壓小于4V的管子具有負溫度系數(屬于齊納擊穿),即溫度升高時穩定電壓值下降(溫度使價電子上升較高能量);穩定電壓大于7V的管子具有正溫度系數(屬于雪崩式擊穿),即溫度升高時穩定電壓值上升(溫度使原子振幅加大,阻礙載流子運動);而穩定電壓在4~7V之間的管子,溫度系數非常小,近似為零(齊納擊穿和雪崩擊穿均有)。
快速關斷(階躍恢復)二極管(Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是:在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區,從而形成"自助電場"。由于PN結在正向偏壓下,以少數載流子導電,并在PN結附近具有電荷存貯效應,使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"后才能降至小值(反向飽和電流值)。階躍恢復二極管的"自助電場"縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路??焖訇P斷(階躍恢復)二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)
它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。
可作為續流二極管,在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。