深圳市鑫業新光電有限公司成立于2010年，公司是一家集UVC紫外燈、LED封裝及應用產品的研發、生產和銷售于一體的公司。產品制造過程采用凈化，抗靜電的國際標準設施封閉作業并且通過ISO9001質量管理體系認證。擁有業內的ASM全自動固晶、全自動焊線設備及全自動封膠設備，產品檢測選用臺灣多功能電腦自動分光分色設備處理。

為了進一步提高紫外LED的外部量子效率，“21世紀照明工程”將采用對使用于LED的藍寶石底板的表面進行加工的方法。將該表面加工成線條狀后，形成GaN類半導體。通過這項技術，可以將降低外部量子效率的主要原因--結晶缺陷降低到原產品的約1/3（1.5× 108cm-2），外部量子效率提高至2.5倍。同時，藍寶石底板的加工費不會太高?！半m然底板成本多少有些提高，但是生產LED的生產能力不會降低。LED芯片的生產成本將會與基本持平”。

為了解決LED因紫外光而出現的性能惡化現象，在封裝過程中采用了不使用樹脂材料的方法。通過將LED芯片裝入金屬封裝內，不使用任何封裝材料直接用金屬蓋封住。這種方法此前該公司一直在GaN類藍紫色半導體激光器中采用。由于此前作為封裝材料使用的環氧類樹脂材料在紫外光的作用下，容易出現樹脂性能惡化的現象，導致透明性降低，從而使得LED亮度也隨之降低。

還有一個不可忽視的特點。那就是將紫外 LED發光波長設定為380nm。在波長為405nm的產品中，已經存在具有更高輸出功率的紫外LED。

21世紀照明工程正在開發的GaN類LED構造。要想提高LED的外部量子效率，減少LED中的結晶缺陷是關鍵。與不加工藍寶石底板的普通方法相比，LEPS技術（在沿（11—20）或（1—100）方面加工出道的藍寶石底板上形成GaN類LED的技術）可以減少約1/3的結晶缺陷。

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