應用類型

　　圖4示出了三端雙向可控硅開關的特性曲線。

　　從圖中可以看出，雙向晶閘管的特性曲線由一個或三個象限的曲線組成。象限中的曲線表示當施加在主電極上的電壓使Tc到T1的極性為正時，我們稱之為直流電壓，用符號U21表示。當該電壓逐漸增加到等于轉向電壓UBO時，圖3(b)左側的晶閘管將被導通。此時，通態電流為I21，方向是從T2到t1。從圖中可以看出，觸發電流越大，轉折電壓越低，這與普通可控硅的觸發導通規律一致。當施加在主電極上的電壓使t1到T2的極性為正時，稱為反向電壓，用符號U12表示。當這個電壓達到過渡電壓值時，圖3(b)右側的晶閘管 引發傳導。此時，海流是I12，其方向是從T1到T2。此時，雙向晶閘管的特性曲線如圖4中的第三象限所示。

　　四種觸發模式

　　由于三端雙向可控硅開關的主電極無論是直流電壓還是反向電壓，無論觸發信號是正向還是反向，都可以被觸發并導通，因此它有以下四種觸發模式:(1)當主電極T2施加給t1的電壓是直流電壓時，控制電極G也向電極t1施加正向觸發信號(圖5a)。三端雙向可控硅開關接通后，電流I2l的方向從T2流向T1。從特性曲線可以看出，雙向晶閘管的觸發導通規律是按照第二象限的特性進行的，并且由于觸發信號為正，所以這種觸發稱為“象限正向觸發”或I+觸發方式。(2)如果直流電壓仍然施加到主電極T2并且觸發信號變為反向信號(圖5b)， 在觸發并接通三端雙向可控硅開關元件之后，接通狀態電流的方向仍然是從T2到T1。我們稱這種觸發為“象限負觸發”或I觸發模式。(3)反向電壓U12(圖5c)被施加到兩個主電極，并且正向觸發信號被輸入。雙向晶閘管開通后，通態電流從T1流向T2。雙向晶閘管按照第三象限特性曲線工作，所以這種觸發器稱為ⅲ+觸發模式。(4)反向電壓U12仍然施加在兩個主電極上，并且輸入反向觸發信號(圖5d)。三端雙向可控硅開關接通后，通態電流仍然從T1流向T2。這種觸發稱為ⅲ-觸發模式。盡管雙向晶閘管具有上述四種觸發模式，但是，負信號觸發所需的觸發電壓和電流相對較小。工作是可靠的， 因此，負觸發模式在實際應用中被廣泛采用。

　　特點:

　　常用的有阻容移相橋式觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體管觸發電路、用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路等等。

　　SCR的主要參數是:

　　1.額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極和陰極之間能連續通過的50 Hz正弦半波電流的平均值。

　　2.正向阻斷峰值電壓VPF當控制電極開路且未添加觸發信號，且陽極直流電壓未超過導通電壓時，施加到晶閘管兩端的正向峰值電壓可以重復?？煽毓璩惺艿闹绷麟妷悍逯挡荒艹^手冊中給出的這個參數值。

　　3.反向阻斷峰值電壓VPR當晶閘管處于具有反向電壓的反向關斷狀態時，施加在晶閘管兩端的反向峰值電壓可以重復。使用時，不能超過手冊中給出的參數值。

　　4.觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，當在陽極和陰極之間施加一定的電壓時，晶閘管由關斷狀態轉為導通狀態所需的較小的控制極電流和電壓。

　　5.在規定的溫度下，保持電流IH關閉控制電極，以維持SCR導通所需的小陽極正向電流。許多新型可控硅器件相繼問世，如適用于高頻應用的快速可控硅器件、可以用正或負觸發信號雙向導通的雙向可控硅器件、可以用正觸發信號導通的可控硅器件、可以用負觸發信號關斷的可控硅器件等。

　　分類:

　　可控硅的分類方法很多。

　　(1)按關斷、開通和控制方式分類:晶閘管按其關斷、開通和控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、反向晶閘管、門極關斷晶閘管(g to)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。

　　(2)按引腳和極性分類:晶閘管按其引腳和極性可分為二極管晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。

　　(3)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為三種:金屬封裝可控硅、塑料封裝可控硅、陶瓷封裝可控硅。其中，金屬封裝可控硅分為螺栓形、平板形、圓殼形等；塑封可控硅分為帶翅片和不帶翅片兩種。

半導體閘流管

　　(4)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為三種:大功率可控硅、中功率可控硅、小功率可控硅。一般大功率晶閘管多采用金屬外殼封裝，中小功率晶閘管多采用塑料或陶瓷封裝。

　　(5)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。

　　(6)過零觸發——一般是功率調節，即當正弦交流電壓的相位過零時，必須在零點觸發才能導通晶閘管。

　　(7)非過零觸發——無論交流電壓是哪一相，都能觸發可控硅導通。常見的觸發是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角(角相位)來改變輸出百分比。