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　　IGBT(絕緣柵雙極晶體管)，絕緣柵雙極晶體管，是由BJT(雙極晶體管)制成的。

　　以及MOS(絕緣柵場效應晶體管)，具有MOSFET的高輸出。

　　GTR的輸入阻抗和低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；金屬氧化物半導體場效應晶體管

　　驅動功率小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種驅動裝置的優點。

　　低功率和低飽和電壓。