如何保護晶閘管
晶閘管在工業中的應用越來越廣泛，工業的應用范圍也越來越大。晶閘管的功能越來越全面。但有時，晶閘管在使用過程中會造成一些損壞。為了保證晶閘管的壽命，怎樣才能更好的保護晶閘管？
在使用中，晶閘管對過電壓非常敏感。過流對晶閘管的損害也很大。Xi安瑞新公司將介紹晶閘管的保護方法，如下:
1、過壓保護
晶閘管對過電壓非常敏感。當直流電壓超過其關斷狀態重復峰值電壓UDRM時，晶閘管將誤導并導致電路故障。當施加的反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管將立即損壞。因此，有必要研究過電壓產生的原因和抑制過電壓的方法。
過電壓主要是由于供給的電功率或系統的儲能發生劇烈變化，使系統來不及轉換，或系統中原本積累的電磁能量來不及耗散而產生的。主要發現有兩種:雷電等外界沖擊引起的過電壓和開關分合閘引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作引起的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓峰值，對晶閘管是非常危險的。開關斷開和閉合引起的脈沖電壓分為以下幾類:
(1)交流電源接通和斷開引起的過電壓
比如交流開關分合閘引起的過電壓，交流側熔斷器熔斷等。由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振電路和電容分壓，這些過電壓值是正常值的2到10倍。一般來說，分合閘速度越快，過電壓越高，空載情況下電路斷開時過電壓也會越高。
(2)DC側產生的過電壓
如果切斷電路的電感較大或者切斷時的電流值較大，則會出現相對較大的過電壓。這種情況經常發生在負載切斷，正在導通的晶閘管開路，或者快速熔斷器的熔體熔斷，導致電流突變的情況下。
(3)換向沖擊電壓
包括換向過電壓和換向振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管電流降至零時，器件各結層中的殘余載流子重新結合而產生的，所以又稱為載流子積累效應引起的過電壓。換相過電壓后出現換相振蕩過電壓，是電感和電容諧振產生的振蕩電壓，其值與換相后的反向電壓有關。反向電壓越高，換相振蕩過電壓越大。
根據過電壓產生的不同原因，可采用不同的抑制方法，如減少過電壓來源，衰減過電壓幅值；抑制過電壓能量的上升速度，延緩發電能量的耗散速度，增加其耗散方式；使用電子電路進行保護等。常用來連接回路中的吸能元件來耗散能量，通常稱為吸收回路或緩沖回路。
(4)阻容吸收電路
通常過電壓的頻率很高，所以電容經常被用作吸收元件。為了防止振蕩，往往加入阻尼電阻，形成阻容吸收回路。阻容吸收回路可以連接在電路的交流側和DC側，或者并聯在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路選用無感電容，接線盡量短。
(5)吸收回路由硒堆、壓敏電阻等非線性元件組成。
上述阻容吸收電路的時間常數RC是固定的，有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓放電來不及，抑制過電壓的效果差。因此，一般情況下，變流器的進出口端都有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點是工作電壓與溫度有關，溫度越低，耐壓越高；此外，硒堆具有自恢復特性，可多次使用。過電壓作用后，硒襯底上的燒孔被熔化的硒覆蓋，其工作特性又恢復了。壓敏電阻是一種基于氧化鋅的金屬氧化物非線性電阻。它的結構是兩個電極，電極之間填充不規則的ZNO微晶，粒徑為10~50μm， 并且在它們之間有厚度約為1微米的氧化鉍晶界層..這個晶界層在正常電壓下處于高阻狀態，只有很小的漏電流，小于100 μ A，當施加電壓時，引起電子雪崩，晶界層迅速變為低阻抗，電流迅速增大，能量泄漏，過壓被抑制，從而保護了晶閘管。浪涌后，晶界層回到高阻態。壓敏電阻的特性主要由以下參數表示。
標稱電壓:指1mA的直流電流通過時，壓敏電阻兩端的電壓值。
電流容量:用前沿為8微秒、波寬為20微秒的浪涌電流表示，每5分鐘沖擊一次，共沖擊10次，標稱電壓在-10[[%]]]范圍內變化。
由于正常的壓敏電阻晶界層只有一定的放電容量和放電次數，標稱電壓值不僅會隨著放電次數的增加而降低，還會隨著放電電流幅值的增加而降低。當達到一定電流時，標稱電壓降至0，壓敏電阻出現穿孔甚至爆裂。因此，必須限制流量。
漏電流:指當增加一半標稱DC電壓時，流過變阻器的電流。
由于壓敏電阻的電流容量大，殘壓低，過電壓抑制能力強；通常泄漏電流小，放電后不會有余流，元件標稱電壓等級多，方便用戶選擇；伏安特性對稱，可用于交流、DC或正負浪涌；因此，它有廣泛的用途。
2、過流保護
由于半導體器件體積小，熱容量小，特別是晶閘管等高壓大電流功率器件，必須嚴格控制結溫，否則會徹底損壞。當晶閘管中的電流大于額定值時，熱量來不及散發，使結溫迅速升高，最終導致結層燒毀。
過流的原因是多種多樣的，比如:變流器本身的晶閘管損壞，觸發電路故障，控制系統故障，交流電源電壓過高、過低或異相，負載過載或短路，相鄰設備故障等。
快速熔斷器通常用于晶閘管過流保護。由于普通保險絲熔斷特性的緩慢動作，晶閘管在保險絲熔斷之前已經被燒斷。所以不能用來保護晶閘管?？焖偃蹟嗥饔摄y制成，埋在石英砂中，熔斷時間極短，可用于保護晶閘管?？焖偃蹟嗥鞯男阅苤饕幸韵绿攸c。