GBT(絕緣柵雙極晶體管)，又稱絕緣柵雙極晶體管，是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場效應晶體管)組成的復合全控壓驅動功率半導體器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管，所以可以看作是MOS輸入的達林頓晶體管。它結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點，具有驅動方便、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高(10-40 kHz)的特點。它已逐漸取代晶閘管和GTO(門極可關斷晶閘管)，是新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積高效率變頻電源、電機調速、UPS和逆變焊機。

　　1.IGBT的工作原理

　　IGBT由三極控制:柵極(G)、發射極(E)和集電極(C)。如圖1所示，IGBT的開關作用是通過施加正向柵極電壓形成溝道，為PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。相反，增加反向柵極電壓以消除溝道，切斷基極電流并關閉IGBT。從圖2可以看出，如果在IGBT的柵極和發射極之間施加正驅動電壓，MOSFET導通，使得PNP晶體管的集電極和基極處于低阻狀態，晶體管導通；如果IGBT的柵極和發射極之間的電壓為0V，則MOSFET關斷，從而切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。

　　圖1 IGBT結構圖

　　圖2 IGBT電氣符號(左)和等效電路圖(右)

　　如果IGBT的柵極和發射極之間的電壓，即驅動電壓太低，IGBT不能穩定工作；如果它太高，甚至超過柵極和發射極之間的耐受電壓，IGBT可能會損壞。同樣，如果IGBT的集電極和發射極之間的電壓超過允許值，流過IGBT的電流也會超過允許值，導致IGBT的結溫超過允許值，IGBT也可能在此時損壞。

　　2.IGBT極性判斷

　　測試IGBT時，應選用指針式萬用表。首先將萬用表設置為r×1kω，用萬用表測量兩極間的電阻。如果一個極和另外兩個極之間的電阻是無窮大，換了唱針后這個極和另外兩個極之間的電阻還是無窮大，那么這個極就是網格(G)。然后用萬用表測量另外兩極之間的電阻。如果測得的電阻為無窮大，更換唱針后電阻變小。當測得的電阻較小時，紅色探針接觸集電極(C ),黑色探針接觸發射極(E)。

　　3 IGBT實物圖