憑借多年的經驗，不懈的開拓精神和良好的商業信譽，公司在電力方面取得了巨大的成就。

　　在電力電子行業樹立了良好的企業形象，并同時與多家電力電子企業合作并上市。

　　該公司保持了長期穩定和相互信任，它也是大量的電子制造商(富士，三)

　　凌影凌飛、西門康、埃塞克斯、尼爾、ABB、西瑪、三舍、宏偉等。)都是誠實的代理商和經銷商。公司通過多年的實踐經驗，積累了扎實的功率半導體應用知識，為電力牽引、風力發電、電焊機、電力機車等行業提供完善的解決方案，為客戶提供技術支持！IGBT(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極晶體管，是一種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度很快， 但是導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和低飽和電壓。IGBT(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極晶體管，是一種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度快。但是導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和低飽和電壓。非常適用于DC電壓600V及以上的變流系統，如交流電機、 變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模塊是一種模塊化半導體產品，由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續流二極管芯片(續流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源和其他設備。IGBT模塊具有節能、安裝維護方便、散熱穩定等特點。目前市場上銷售的大部分產品都是這類模塊化產品，IGBT一般指IGBT模塊；隨著節能環保的推廣，這類產品在市場上會越來越普遍；IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，俗稱電力電子器件的“CPU”。作為國家戰略性新興產業，IGBT廣泛應用于軌道交通、 智能電網、航空航天、電動汽車、新能源設備。

　　IGBT是英文單詞safed Gate Bipolar translator，中文意思是絕緣柵雙極晶體管。從功能上講，IGBT是一種電路開關，具有電壓可控、飽和壓降小、耐壓高的優點。用于電壓幾十到幾百伏，電流幾十到幾百安培的高壓中。此外，IGBT不需要機械按鈕，它是由電腦控制的。因此，借助IGBT的開關，我們可以設計一種電路，將電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或將各種電變成所需頻率的交流電，供負載使用。這些電路統稱為轉換器。

　　IGBT模塊具有節能、安裝維護方便、散熱穩定等特點。目前市場上銷售的大部分產品都是這類模塊化產品，IGBT一般指IGBT模塊；隨著節能環保的推廣，這類產品在市場上會越來越普遍；IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，俗稱電力電子器件的“CPU”。IGBT作為國家戰略性新興產業，廣泛應用于軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車和新能源設備等領域。

　　IGBT是垂直功率MOSFET的自然演變，適用于大電流、高電壓應用和快速終端設備。因為需要源極-漏極溝道來實現更高的擊穿電壓BVDSS，但是該溝道具有高電阻率，這導致功率MOSFET具有高RDS(on)值。IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然第一代功率MOSFET器件的RDS(on)特性已經有了很大的改善，但是功率傳導損耗仍然遠遠高于IGBT技術在高水平下的功率傳導損耗。與標準雙極性器件相比，更低的壓降、轉換為低VCE(sat)的能力以及IGBT的結構可以支持更高的電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。