從功能上講，IGBT是一種電路開關，具有電壓可控、飽和壓降小、耐壓高的優點。用于電壓幾十到幾百伏，電流幾十到幾百安培的高壓中。此外，IGBT不需要機械按鈕，它是由電腦控制的。因此，借助IGBT的開關，我們可以設計一種電路，將電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或將各種電變成所需頻率的交流電，供負載使用。這些電路統稱為轉換器。

　　IGBT模塊具有節能、安裝維護方便、散熱穩定等特點。目前市場上銷售的大部分產品都是這類模塊化產品，IGBT一般指IGBT模塊；隨著節能環保的推廣，這類產品在市場上會越來越普遍；IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，俗稱電力電子器件的“CPU”。IGBT作為國家戰略性新興產業，廣泛應用于軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車和新能源設備等領域。

　　方法

　　IGBT是垂直功率MOSFET的自然演變，適用于大電流、高電壓應用和快速終端設備。因為需要源極-漏極溝道來實現更高的擊穿電壓BVDSS，但是該溝道具有高電阻率，這導致功率MOSFET具有高RDS(on)值。IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然第一代功率MOSFET器件的RDS(on)特性已經有了很大的改善，但是功率傳導損耗仍然遠遠高于IGBT技術在高水平下的功率傳導損耗。與標準雙極性器件相比，更低的壓降、轉換為低VCE(sat)的能力以及IGBT的結構可以支持更高的電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。

　　導通

　　IGBT硅片的結構與功率MOSFET非常相似，主要區別是IGBT增加了一個P+襯底和一個N+緩沖層(這部分不是NPT-非穿通IGBT技術增加的)。其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。襯底的應用在管的P+和N+區域之間產生了J1結。當柵極正偏壓使柵極下方的P基區反相時，形成N溝道，同時出現電子流，完全以功率MOSFET的方式產生電流。如果這種電子流產生的電壓在0.7V的范圍內，那么J1將處于正向偏置，一些空穴將被注入N區，陽極和陰極之間的電阻率將被調節，這降低了功率傳導的總損耗，并開始第二次電荷流。因此，在半導體層面暫時出現了兩種不同的電流拓撲:電子電流 (MOSFET電流)；空穴電流(雙極)。當負偏置電壓施加到柵極或柵極電壓低于閾值時關斷，溝道被禁止，并且沒有空穴注入n區。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流將逐漸降低，因為在換向開始后，N層中仍有少數載流子(少數載流子)。剩余電流(尾流)的減少完全取決于關斷時的電荷密度，并且該密度與幾個因素有關，例如摻雜劑的量和拓撲、層厚度和溫度。少數載流子的衰減使得集電極電流具有特征性的尾波波形，造成以下問題:功耗增加；交叉傳導的問題更加明顯， 尤其是在使用續流二極管的設備中。由于尾流與少數載流子復合有關，所以尾流的電流值應該與芯片的溫度密切相關，而空穴遷移率與IC和VCE密切相關。因此，根據達到的溫度，減少電流作用在終端設備設計上的這種不良影響是可行的。