IGBT是MOSFET和雙極晶體管基于的復合設備。它既具有MOSFET易于驅動的特點，又具有功率晶體管電壓電流容量大的優點。其頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間，可以在幾十kHz的頻率范圍內正常工作，因此在高頻大功率和中功率應用中占據主導地位。

　　IGBT作為大功率復合器件，存在過流時可能被閉鎖損壞的問題。如果過流時門極電壓以正常速度閉鎖，過高的電流變化率會引起過電壓，需要采用軟關斷技術，因此需要掌握IGBT的驅動和保護特性。

　　IGBT是一個壓控裝置。在它的柵極和發射極之間施加10 V以上的DC電壓，只有μA的漏電流流過，基本不消耗功率。但是IGBT的柵極和發射極之間存在很大的寄生電容(幾千到幾萬pF)，需要在驅動脈沖電壓的上升沿和下降沿提供幾A的充放電電流來滿足開關的動態要求，這就使得其驅動電路也要輸出一定的峰值電流。

　　IGBT作為大功率復合器件，存在過流時可能被閉鎖損壞的問題。如果過流時門極電壓以正常速度閉鎖，過高的電流變化率會引起過電壓，需要采用軟關斷技術，因此需要掌握IGBT的驅動和保護特性。

　　柵極串聯電阻對柵極驅動波形的影響

　　柵極驅動電壓的上升和下降速率對IGBT的開啟和關閉過程有很大的影響。IGBT的MOS溝道直接受柵極電壓控制，MOSFET部分的漏極電流控制雙極部分的柵極電流，使得IGBT的導通特性主要由其MOSFET部分決定，因此IGBT的導通受柵極驅動波形影響較大。IGBT的關斷特性主要取決于內部少數載流子的復合率，少數載流子的復合受MOSFET關斷的影響，因此柵極驅動也影響IGBT的關斷。

　　在高頻應用中，驅動電壓的上升和下降速率應該更快，以提高IGBT的開關速率并降低損耗。

　　正常情況下，IGBT開啟越快，損耗越小。但是，如果開通時有續流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流，開通越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易造成IGBT損壞。此時應降低柵極驅動電壓的上升速率，即增加柵極串聯電阻的阻值，以抑制此電流的峰值。代價是較大的導通損耗。利用這種技術，可以將導通過程中的峰值電流控制在任意值。

　　從分析可以看出，門極的串聯電阻和驅動電路的內阻抗對IGBT的導通過程影響很大，而對關斷過程影響很小。串聯電阻小有利于加快關斷速率，降低關斷損耗，但過小會導致di/dt過大，集電極電壓尖峰大。因此，串聯電阻應根據具體設計要求綜合考慮。

　　柵極電阻也影響驅動脈沖的波形。電阻值過小會引起脈沖振蕩，過大會使脈沖波形的前沿和后沿延遲變慢。IGBT的柵極輸入電容Cge隨著其額定電流容量的增加而增加。為了保持驅動脈沖的上升沿和下降沿速率相同，具有大電流容量的IGBT器件應該具有大的上升沿和下降沿充電電流。因此，柵極串聯電阻的電阻值應隨著IGBT電流容量的增加而減小。